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LANGER EMV-Technik XF1近場(chǎng)探頭組 信號(hào)分析儀

LANGER EMV-Technik XF1近場(chǎng)探頭組 信號(hào)分析儀

更新時(shí)間:2025-03-10

產(chǎn)品型號(hào):

產(chǎn)品報(bào)價(jià):

產(chǎn)品特點(diǎn):LANGER EMV-Technik XF1近場(chǎng)探頭組專門(mén)為近場(chǎng)測(cè)試設(shè)計(jì)的探頭,電磁兼容工程師*的基本工具,用于在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)期間探測(cè)PCB的電磁場(chǎng)情況

LANGER EMV-Technik XF1近場(chǎng)探頭組 信號(hào)分析儀的詳細(xì)資料:

LANGER EMV-Technik XF1近場(chǎng)探頭組包含4個(gè)無(wú)源磁場(chǎng)探頭和1無(wú)源電場(chǎng)探頭,所有探頭的頻率范圍為30MHz到6GHz,用于在研發(fā)階段測(cè)量磁場(chǎng)和電場(chǎng)。由于在探頭內(nèi)部配置了阻抗匹配器,該探頭組與其他探頭(如RF型探頭)相比,在低頻區(qū)較不敏感。 使用XF 1系列的探頭,可以逐步辨識(shí)電子模塊中的干擾磁場(chǎng)源。例如,首先用XF-R 400-1型探頭檢測(cè)電子模塊總體發(fā)射出的干擾場(chǎng),然后再用高分辨率探頭更準(zhǔn)確地識(shí)別干擾源。電場(chǎng)探頭用于檢測(cè)電子模塊表面的干擾電場(chǎng)。 通過(guò)相應(yīng)地操作近場(chǎng)探頭,能夠測(cè)量出電磁場(chǎng)的方向及其分布。這種近場(chǎng)探頭小巧輕便,并采用外皮電流衰減。磁場(chǎng)探頭采用電屏蔽設(shè)計(jì)。這種近場(chǎng)探頭可以接到頻譜分析儀或示波器的50Ω輸入端。這些近場(chǎng)探頭的內(nèi)部安裝有終端電阻

LANGER EMV-Technik XF1近場(chǎng)探頭組產(chǎn)品內(nèi)容:

1xXF-B 3-1, 磁場(chǎng)探頭(30MHz-6Hz)

1xXF-E 10, 電場(chǎng)探頭(30MHz-6GHz)

1xXF-R 3-1, 磁場(chǎng)探頭(30MHz-6GHz)

1xXF-R 400-1, 磁場(chǎng)探頭(30MHz-6Hz)

1xXF-U 2.5-1, 磁場(chǎng)探頭(30MHz-6GHz)

1xSMA-SMA 1 m, SMA-SMA 測(cè)量電纜

1xCase 5


LANGER EMV-Technik XF1近場(chǎng)探頭組產(chǎn)品簡(jiǎn)介

XF-B 3-1磁場(chǎng)探頭(30MHz-6Hz)

XF-B 3-1型磁場(chǎng)探頭的測(cè)量線圈相對(duì)垂直于探頭柄。當(dāng)探頭豎直放置到電路板上時(shí),其測(cè)量線圈直接平放在電路板的表面上。由此就能夠測(cè)量到印刷電路板表面上很難達(dá)到的一些位置,如開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的大元件之間的位置。

XF-E 10電場(chǎng)探頭(30MHz-6GHz)

XF-E 10型電場(chǎng)探頭底面的電極僅有約0.2mm寬,用于定位小的電場(chǎng),例如0.1mm寬的導(dǎo)線、高針數(shù)集成電路的單個(gè)引腳等發(fā)射的電場(chǎng)。測(cè)試時(shí)將該電場(chǎng)探頭放置在受測(cè)物體上。

XF-R 3-1磁場(chǎng)探頭(30MHz-6GHz)

XF-R 3-1型近場(chǎng)探頭: 用于高分辨率直接檢測(cè)組件上,譬如IC的引腳或外殼、布線、旁路電容器和電磁兼容性(EMC)元件等區(qū)域的射頻磁場(chǎng)。

XF-R 400-1磁場(chǎng)探頭(30MHz-6Hz)

XF-R 400-1磁場(chǎng)探頭 因較大的直徑(25mm)而擁有很高的靈敏度,允許在10cm以內(nèi)的距離測(cè)量模塊和設(shè)備。

XF-U 2.5-1磁場(chǎng)探頭(30MHz-6GHz)

XF-U 2.5-1型磁場(chǎng)探頭是一個(gè)近場(chǎng)探頭,用于選擇性測(cè)量導(dǎo)線、SMD組件和IC引腳中的高頻電流。這個(gè)探頭有一個(gè)大約0.5mm寬的磁場(chǎng)敏感缺口,測(cè)量時(shí)將這個(gè)缺口放在布線、IC或者電容器的連接點(diǎn)上。

 

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